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  • 型号: MT41K1G4RH-125:E TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K1G4RH-125:E TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K1G4RH-125:E TR价格参考。Micron Technology IncMT41K1G4RH-125:E TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41K1G4RH-125:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41K1G4RH-125:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc. 的存储器产品 MT41K1G4RH-125:E TR 是一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于对性能和稳定性要求较高的电子设备中。该型号属于高密度、高性能的存储解决方案,适用于以下主要场景:

1. 服务器与数据中心:用于提升数据处理速度和系统响应能力,满足大数据、云计算等应用对内存容量和带宽的需求。

2. 网络通信设备:如路由器、交换机等高端通信设备,用于高速缓存和数据转发,保障网络稳定性和传输效率。

3. 工业控制与自动化设备:在工控系统中提供可靠的数据临时存储,支持复杂控制逻辑和实时运算。

4. 嵌入式系统:适用于智能终端、边缘计算设备等嵌入式平台,为系统运行提供高效内存支持。

5. 消费类电子产品:如高端游戏主机、图形工作站等,支持高质量图像渲染和多任务并行处理。

该存储器具备良好的兼容性与稳定性,适合工作在较宽温度范围内,满足多种严苛环境下的使用需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

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产品图片

产品型号

MT41K1G4RH-125:E TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

78-FBGA (9x10.5)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

DDR3 SDRAM

存储容量

4G(1G x 4)

封装/外壳

78-TFBGA

工作温度

0°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.283 V ~ 1.45 V

速度

800MHz

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